[发明专利]晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410077873.2 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104851917A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 高启仁;彭玉容;王怡凯 | 申请（专利权）人： | 纬创资通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管结构及其制作方法，其中晶体管结构包括一栅极、一绝缘层、一图案化半导体层、一源极以及一漏极以及一光吸收层。栅极配置于基板上。栅极的面积重叠图案化半导体层的面积。绝缘层位于栅极与图案化半导体层之间。源极以及漏极彼此分离，且源极与漏极接触于图案化半导体层。图案化半导体层位于光吸收层以及基板之间。光吸收层的面积覆盖图案化半导体层的面积。光吸收层的吸收光谱波长涵盖图案化半导体层的吸收光谱波长。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，包括：栅极，配置于一基板上；绝缘层；图案化半导体层，该栅极的面积重叠该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；源极以及一漏极，彼此分离，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；以及光吸收层，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长重叠该图案化半导体层的吸收光谱波长。
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