[发明专利]一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201410077938.3 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN103871745B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 王习东;陈燕;邱建航;郭敏;刘丽丽 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01G9/042 分类号: H01G9/042;H01G9/20;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 王文君
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法,在空白导电玻璃基底上通过水热生长初级ZnO纳米线阵列结构,再在其上通过胶体修饰过程负载一层ZnO纳米粒子,以修饰后的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应,即得到树枝状ZnO纳米线阵列结构材料。本发明制备方法具有设备简单、操作方便、反应条件温和等优点,极大降低生产成本,利于规模化生产。
搜索关键词: 一种 树枝 zno 纳米 阵列 结构 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种树枝状ZnO纳米线阵列结构材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)向硝酸锌和六亚甲基四胺组成的混合溶液中30‑60°斜插浸入空白导电玻璃,水热反应得到初级ZnO纳米线阵列;2)以Zn(CH3COO)2胶体修饰步骤1)得到的初级ZnO纳米线阵列;取适量的Zn(CH3COO)2胶体于已生长ZnO纳米线阵列的FTO导电玻璃上,将导电玻璃置于台式匀胶机上以3000r·min‑1的转速甩胶30s后可在初级ZnO纳米线阵列结构表面形成一层均匀的胶膜,将带有胶膜的FTO基底放置在马弗炉中以300℃条件下退火10min后,可在初级ZnO纳米线阵列结构表面上生成一层ZnO纳米粒子;所述Zn(CH3COO)2胶体浓度为0.2‑0.5mol/L;3)以已修饰的初级ZnO纳米线阵列结构为工作电极进行第二次水热反应;将已修饰的ZnO纳米线阵列的FTO导电玻璃斜插浸入硝酸锌和六亚甲基四胺组成的混合溶液中,进行第二次水热反应;所述水热反应温度90‑120℃;所述水热反应时间0.5‑2h;所述混合溶液中硝酸锌和六亚甲基四胺的浓度均为0.02‑0.08mol/L。
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