[发明专利]利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。

主权项

一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法，其特征在于具体步骤为：提供需要生长高K介质的石墨烯样品；采用高温真空旋涂液态金属技术，在石墨烯样品上制备金属铝薄膜，作为铝种子层；将石墨烯样品置于氧气环境中，使铝种子层充分被氧化；利用原子层沉积方法在石墨烯样品上生长高K介质薄膜；所述铝种子层的厚度在2‑3nm。