[发明专利]一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法在审
申请号: | 201410078276.1 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103820852A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 何天全;程政 | 申请(专利权)人: | 重庆高策科技发展有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/14 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 409899 重庆市酉阳*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备多晶硅的系统,包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统,原料在合成系统反应得氯硅烷混合物,经分离后SiH2Cl2、SiCl4返回合成系统,SiHCl3纯化后进入多晶硅制备系统,多晶硅制备系统包括三氯氢硅还原系统、尾气分离系统和四氯化硅氢化系统,制备多晶硅的尾气经尾气分离后HCl、杂质排残物返回SiHCl3合成系统,H2、SiH2Cl2和SiHCl3返回三氯氢硅还原系统,SiCl4进入四氯化硅氢化系统与H2反应,反应产物返回尾气分离系统。本发明还公开了与该系统对应的多晶硅制备方法。本发明按各种物料纯度分级循环,避免高纯物料与粗品物料混合带来的反复纯化。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 盐酸 氯化 制备 多晶 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统,其特征在于:包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统,SiCl4、H2、HCl和工业硅粉在SiHCl3合成系统反应得到含有SiHCl3的氯硅烷混合物,所述氯硅烷混合物经氯硅烷分离系统分离得到粗品SiH2Cl2、SiCl4和SiHCl3,粗品SiH2Cl2和粗品SiCl4返回SiHCl3合成系统,粗品SiHCl3经纯化后进入多晶硅制备系统与H2反应制备多晶硅。
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