[发明专利]一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统及方法在审

专利信息
申请号: 201410078276.1 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN103820852A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 何天全;程政 申请(专利权)人: 重庆高策科技发展有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/14
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 409899 重庆市酉阳*** 国省代码: 重庆;85
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种制备多晶硅的系统,包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统,原料在合成系统反应得氯硅烷混合物,经分离后SiH2Cl2、SiCl4返回合成系统,SiHCl3纯化后进入多晶硅制备系统,多晶硅制备系统包括三氯氢硅还原系统、尾气分离系统和四氯化硅氢化系统,制备多晶硅的尾气经尾气分离后HCl、杂质排残物返回SiHCl3合成系统,H2、SiH2Cl2和SiHCl3返回三氯氢硅还原系统,SiCl4进入四氯化硅氢化系统与H2反应,反应产物返回尾气分离系统。本发明还公开了与该系统对应的多晶硅制备方法。本发明按各种物料纯度分级循环,避免高纯物料与粗品物料混合带来的反复纯化。
搜索关键词: 一种 利用 盐酸 氯化 制备 多晶 系统 方法
【主权项】:
一种利用盐酸和四氯化硅制备多晶硅的系统,其特征在于:包括SiHCl3合成系统、氯硅烷分离系统和多晶硅制备系统,SiCl4、H2、HCl和工业硅粉在SiHCl3合成系统反应得到含有SiHCl3的氯硅烷混合物,所述氯硅烷混合物经氯硅烷分离系统分离得到粗品SiH2Cl2、SiCl4和SiHCl3,粗品SiH2Cl2和粗品SiCl4返回SiHCl3合成系统,粗品SiHCl3经纯化后进入多晶硅制备系统与H2反应制备多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆高策科技发展有限公司,未经重庆高策科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410078276.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top