[发明专利]一种单片集成的微荧光分析系统及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410078455.5 申请日: 2014-03-05
公开(公告)号: CN103824813A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 陈龙 申请(专利权)人: 陈龙
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;B81C1/00;G01N21/64
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200063 上海市普陀区顺*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种单片集成的微荧光分析系统及其制作方法,所述微荧光分析系统包括:硅基底;样品池,形成于所述硅基底中或键合于所述硅基底表面;发光器件,形成于所述硅基底的第一选区中,且所述发光器件的一个出光侧面与所述样品池的第一侧面相对;硅探测器,形成于所述硅基底的第二选区中,且所述硅探测器的一个光探测面与所述样品池的第二侧面相对;集成电路,形成于所述硅基底中,用于对检测信号进行信号处理、驱动激发光光源、信号分析以及控制信号输出。本发明利用微机电(MEMS)加工技术和CMOS工艺,将荧光分析系统加工在同一硅基平台上,具有极微小的系统体积、极低的制作成本和分析成本,并且真正实现了芯片实验室(LOC)。
搜索关键词: 一种 单片 集成 荧光 分析 系统 及其 制作方法
【主权项】:
一种单片集成的微荧光分析系统,其特征在于,包括:硅基底;样品池,形成于所述硅基底中或键合于所述硅基底表面,用于承载试样;发光器件,形成于所述硅基底的第一选区中,且所述发光器件的一个出光侧面与所述样品池的第一侧面相对,作为试样的激发光光源;硅探测器,形成于所述硅基底的第二选区中,且所述硅探测器的一个光探测面与所述样品池的第二侧面相对,用于检测从所述试样产生的荧光;集成电路,形成于所述硅基底中,用于对检测信号进行信号处理、驱动激发光光源、信号分析以及控制信号输出。
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