[发明专利]一种单片集成的微荧光分析系统及其制作方法有效
申请号: | 201410078455.5 | 申请日: | 2014-03-05 |
公开(公告)号: | CN103824813A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 陈龙 | 申请(专利权)人: | 陈龙 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;B81C1/00;G01N21/64 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200063 上海市普陀区顺*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种单片集成的微荧光分析系统及其制作方法,所述微荧光分析系统包括:硅基底;样品池,形成于所述硅基底中或键合于所述硅基底表面;发光器件,形成于所述硅基底的第一选区中,且所述发光器件的一个出光侧面与所述样品池的第一侧面相对;硅探测器,形成于所述硅基底的第二选区中,且所述硅探测器的一个光探测面与所述样品池的第二侧面相对;集成电路,形成于所述硅基底中,用于对检测信号进行信号处理、驱动激发光光源、信号分析以及控制信号输出。本发明利用微机电(MEMS)加工技术和CMOS工艺,将荧光分析系统加工在同一硅基平台上,具有极微小的系统体积、极低的制作成本和分析成本,并且真正实现了芯片实验室(LOC)。 | ||
搜索关键词: | 一种 单片 集成 荧光 分析 系统 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种单片集成的微荧光分析系统,其特征在于,包括:硅基底;样品池,形成于所述硅基底中或键合于所述硅基底表面,用于承载试样;发光器件,形成于所述硅基底的第一选区中,且所述发光器件的一个出光侧面与所述样品池的第一侧面相对,作为试样的激发光光源;硅探测器,形成于所述硅基底的第二选区中,且所述硅探测器的一个光探测面与所述样品池的第二侧面相对,用于检测从所述试样产生的荧光;集成电路,形成于所述硅基底中,用于对检测信号进行信号处理、驱动激发光光源、信号分析以及控制信号输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造