[发明专利]一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410078830.6 | 申请日： | 2014-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103839928A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 欧阳俊;康立敏 | 申请（专利权）人： | 欧阳俊 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 杨琪 |
| 地址： | 250061 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜及其制备方法，包括基体、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，用晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片作为基体，底电极为导电氧化物薄膜，顶电极为金属薄膜点电极；在基体上采用同轴溅射的方法沉积底电极，再在底电极上采用离轴溅射的方法沉积铁酸铋介电层，最后在铁酸铋介电层上沉积顶电极制成。本发明制备的BiFeO3薄膜为菱方相且高度取向，室温下具有矩形度很好的电滞回线，极化强度高，自发极化强度可高达100-110μc/cm2，耐压性好，最高承受电压可达50v。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 漏电 极化 强度 铁酸铋 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高耐压、低漏电、高极化强度铁酸铋薄膜，包括基体、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，其特征是，用晶格常数与铁酸铋接近的单晶氧化物半导体基片作为基体，底电极为导电氧化物薄膜，顶电极为金属薄膜点电极；所述的导电氧化物薄膜采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钌酸锶、镍酸镧、钴酸镧锶或锰酸镧锶；金属薄膜点电极的材料为金或铂。
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