[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：在若干衬底表面形成底部抗反射薄膜和图形化层，所述图形化层暴露出部分底部抗反射薄膜表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀若干衬底表面的底部抗反射薄膜，直至暴露出衬底表面为止，形成底部抗反射层；测试底部抗反射层以获得第一尺寸；所述第一尺寸通过不同的实验条件获得，通过量测整片晶圆各个区域的第一尺寸以得到最优方案；最优衬底被继续刻蚀以在衬底内形成开口；在形成开口之后，测试所述开口以获得第二尺寸；其余的衬底被重工，去除所述图形化层和底部抗反射层之后，再次形成图形化层和底部抗反射层，以继续做第一尺寸的实验设计，由此反复。该半导体结构的形成方法减少工艺时间、节省成本、提高工艺效率。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：步骤S101，提供若干衬底；步骤S102，在所述若干衬底表面形成底部抗反射薄膜、以及位于所述底部抗反射薄膜表面的图形化层，所述图形化层暴露出部分底部抗反射薄膜表面；步骤S103，以所述图形化层为掩膜，刻蚀若干衬底表面的底部抗反射薄膜，直至暴露出衬底表面为止，形成底部抗反射层；步骤S104，测试所述底部抗反射层的尺寸，获得第一尺寸；当所述第一尺寸符合底部抗反射层的预设尺寸时，执行步骤S105，以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成开口；步骤S106，在所述衬底内形成开口之后，测试所述开口的尺寸，获得第二尺寸；当所述第一尺寸不符合底部抗反射层的预设尺寸时，执行步骤S107，去除所述图形化层和底部抗反射层；在去除所述图形化层和底部抗反射层之后，再次执行步骤S102至步骤S104，直至所获得的第一尺寸符合底部抗反射层的预设尺寸为止。