[发明专利]一种消除金属层反射并改善曝光效果的工艺方法有效
| 申请号： | 201410079386.X | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900581B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 阎振中 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种消除金属层反射并改善曝光效果的工艺方法，其特征在于，包括步骤一、在硅基底上溅射一层金属，在已溅射金属层上形成一负性光阻侧墙；步骤二、在所述金属层及所述侧墙上涂覆正性光阻；步骤三、对涂覆正性光阻的所述金属层及所述侧墙进行曝光和显影，所述侧墙阻挡所述硅片底部金属台阶的反射光束；步骤四、去除侧墙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 金属 反射 改善 曝光 效果 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种消除金属层反射并改善曝光效果的工艺方法，其特征在于，包括：步骤一、在硅基底上溅射一层金属，在已溅射金属层上形成一负性光阻侧墙；步骤二、在所述金属层及所述侧墙上涂覆正性光阻；步骤三、对涂覆正性光阻的所述金属层及所述侧墙进行曝光和显影，所述侧墙阻挡所述金属层的台阶底部的反射光束；步骤四、去除所述侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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