[发明专利]一种粗化LED芯片的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410079731.X | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882520A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 陈康;夏伟;于军;左致远 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种粗化LED芯片的外延结构及其制备方法。本发明首先在n-GaAs衬底上依次生长n-GaAs缓冲层、DBR、下限制层、有源区、上限制层、隧穿结、粗化层和帽子层。芯片制备先在帽子层上蒸镀电极，光刻电极图形，同时去掉多余的帽子层，本方法不利用掩膜，直接用湿法方法对粗化层进行粗化，然后减薄、蒸镀背金，然后依次经过合金、测试、切割，制备出表面粗化的高光提取效率的LED芯片。克服了传统LED外延片窗口层为GaP难刻蚀的方法，用粗化层代替GaP窗口层，具有粗化层极易粗化、粗化均匀、稳定性较好的优点，非常适合规模化生产。利用本发明方法制作的粗化LED芯片可提高约40％的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种粗化LED芯片的外延结构，其特征在于，自下而上依次包括n‑GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、DBR、下限制层、有源区、上限制层、隧穿结、粗化层和帽子层。
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