[发明专利]芯片位置校准工具及校准方法、化学气相沉积反应腔室有效
申请号: | 201410080828.2 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN103805962A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 郑修锋;解毅;何雅彬;朱义党;胡可绿;王华钧;忻圣波 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张亚利;骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种芯片位置校准工具及校准方法,化学气相沉积反应腔室,其中,一种芯片位置校准工具设置于化学沉积反应腔室加热器上,加热器顶面具第一凹槽,第一凹槽开口边界大于底面边界,底面边界为圆形;工具包括平面的第一表面,相对的、具有第二凹槽的第二表面,第二凹槽底面与第一凹槽底面相对且加热器顶部被第二凹槽所容纳,第一表面具有至少同一圆形的三条弧线段,圆形边界与底面边界大小相等;具有贯穿于第一表面和第二凹槽底面的至少三个在圆形上的通孔,底面边界与第一表面平行,工具位置符合要求时,通孔露出的第一凹槽底面边界的至少三条弧线段与第一表面的至少三条弧线段首尾连接构成圆形。本发明工具降低芯片被放置难度且提高被放置精准度。 | ||
搜索关键词: | 芯片 位置 校准 工具 方法 化学 沉积 反应 | ||
【主权项】:
一种芯片位置校准工具,其特征在于,用于芯片在化学气相沉积反应腔室中位置的校准,设置于化学气相沉积反应腔室的加热器上,加热器顶面具有用于放置芯片的第一凹槽,第一凹槽的侧壁为斜面,第一凹槽的开口边界大于底面边界,所述开口边界与底面边界均为圆形;所述工具包括相对的第一表面和第二表面,第一表面为平面,第二表面具有第二凹槽,第二凹槽底面与第一凹槽底面相对且加热器顶部被第二凹槽所容纳,第一表面具有至少三条位于同一个圆形上的弧线段,所述圆形的边界与第一凹槽的底面边界大小相等;所述工具具有贯穿于第一表面和第二凹槽底面的至少三个在圆形上的通孔,底面边界与第一表面平行,在芯片位置校准工具的位置符合要求时,通孔露出的第一凹槽底面边界将至少三条所述弧线段首尾连接构成圆形。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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