[发明专利]一种发光晶体管及一种发光显示装置有效
| 申请号： | 201410081143.X | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103887393A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 董桂芳;李晶;刘晓惠;段炼;邱勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所述的发光晶体管及发光显示装置，其至少包括基底、漏电极、源电极、半导体层、栅极绝缘层和与栅极绝缘层相连的栅极层，栅极绝缘层中包括可极化并且可发光的材料，优选为发光离子型配合物。该晶体管通过栅极与源极之间的电压，在栅极绝缘层与半导体层界面处感应出载流子，在源/漏电极层中的漏极和源极之间产生导电沟道的同时，形成通过栅极绝缘层的电流并使栅极绝缘层发光。该发光晶体管改变了传统发光晶体管工作电压高、结构复杂或者只有线发光的缺点，通过栅绝缘层发光实现了晶体管的低工作电压和面发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种发光晶体管，包括基底及设置于所述基底上的发光单元；其特征在于：所述发光单元包括栅极、栅极绝缘层、半导体层和源/漏电极，所述栅极绝缘层为可极化并且可发光的绝缘层。
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