[发明专利]用于三维芯片堆叠的选择性区域加热有效
申请号: | 201410081598.1 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN104037100A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | M·J·英特兰特;佐久间克幸 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于三维芯片堆叠的选择性区域加热。一种形成三维封装的方法。该方法可以包括通过施加第一选择性不均匀热和第一均匀压力,以第一多个焊料凸点的固态扩散将内插板连接到叠层芯片载体;通过施加第二选择性不均匀热和第二均匀压力,以第二多个焊料凸点的固态扩散将顶部芯片连接到内插板;将三维封装、第一和第二多个焊料凸点加热到大于第一和第二多个焊料凸点的回流温度的温度,其中第二多个焊料凸点在第一多个焊料凸点之前达到回流温度,其中第一和第二选择性不均匀热分别小于第一和第二多个焊料凸点的回流温度。 | ||
搜索关键词: | 用于 三维 芯片 堆叠 选择性 区域 加热 | ||
【主权项】:
一种形成三维封装的方法,所述三维封装包括叠层芯片载体、内插板和顶部芯片,该方法包括:通过给所述内插板的第一多个焊料凸点施加第一选择性不均匀热和第一均匀压力,导致所述第一多个焊料凸点固态扩散到所述叠层芯片载体的第一多个金属触点内,将所述第一多个焊料凸点附接到所述叠层芯片载体的所述第一多个金属触点,其中第一选择性不均匀热的温度小于所述第一多个焊料凸点的回流温度;通过给所述顶部芯片的第二多个焊料凸点施加第二选择性不均匀热和第二均匀压力,导致所述第二多个焊料凸点固态扩散到所述内插板的第二多个金属触点内,将所述第二多个焊料凸点附接到所述内插板的所述第二多个金属触点,其中所述第二选择性不均匀热的温度小于第二多个焊料凸点的回流温度;和将所述三维封装、所述第一多个焊料凸点和所述第二多个焊料凸点加热到大于所述第一多个焊料凸点的回流温度和所述第二多个焊料凸点的回流温度的温度,其中所述第二多个焊料凸点在所述第一多个焊料凸点之前达到回流温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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