[发明专利]铂硅纳米线红外探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410081602.4 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103794673A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李华高;熊平;钟四成 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种铂硅纳米线红外探测器，所述铂硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述铂硅薄膜光敏层即为铂硅纳米线；所述铂硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用铂硅纳米线可增加吸收率，同时，铂硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高铂硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低铂硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铂硅纳米线红外探测器，其特征在于：所述铂硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层（2）、铂硅薄膜光敏层（3）、P型多晶硅盖帽层（4）、减反射膜层（5），P型外延硅衬底层（2）、铂硅薄膜光敏层（3）、P型多晶硅盖帽层（4）、减反射膜层（5）依次层叠在一起；所述铂硅薄膜光敏层（3）即为铂硅纳米线；所述铂硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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