[发明专利]一种软快恢复二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在有源区的边界处设有P型高阻区，在有源区的中心处设有P+欧姆接触层；全局寿命控制区设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，局域寿命控制层位于P型发射区内靠近P+欧姆接触层的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层位于P型发射区和P型高阻区组成的平面内。本发明通过采用全局加局域寿命控制方式，实现器件的软快恢复特性；通过增加高阻区，提高器件的抗雪崩能力。

主权项

一种软快恢复二极管，所述二极管包括N型本征区（01）、背N+缓冲区（02）、阳极金属层（051）以及阴极金属层（052），所述背N+缓冲区（02）设置于N型本征区（01）的背面，所述阳极金属层（051）设置于二极管的阳极；所述阴极金属层（052）设置于二极管的阴极；其特征在于，在所述N型本征区（01）的正面和阳极金属层（051）之间设有P型发射区（13），在所述阳极金属层（051）的两端对称设有掩蔽氧化层，在二极管有源区的边界处设有P型高阻区（18），在有源区的中心处设有P+欧姆接触层（19）；全局寿命控制区（16）设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，所述局域寿命控制层（17）位于P型发射区（13）内靠近P+欧姆接触层（19）的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层（17）位于P型发射区（13）和P型高阻区（18）组成的平面内，避免局域寿命控制层（17）出现在终端区，采用注入挡版挡住终端区以实现区域注入，挡版材质采用光刻板、金属或光刻胶实现。