[发明专利]带隙基准电压源

摘要

本发明公开了带隙基准电压源，属于集成电路的技术领域，包括：第一、第二PMOS管组成的第一共栅差分对，第六、第七PMOS管组成的第二共栅差分对，第三、第四PMOS管组成的第三共栅差分对，第八、第九PMOS管组成的第四共栅差分对，第一、第二PNP型三极管，第一、第二运放，第五、第十PMOS管，具有负温度系数的第一、第二、第三电阻，具有正温度系数的第四电阻。本发明利用不同温度系数电阻的多阶非线性温度特性分量来补偿带隙基准电压源的高阶分量，在不增加工艺成本的前提下，实现高精度和低温度系数目的；采用共源共栅结构的偏置电路，实现高电源输出抑制比的目的。

主权项

带隙基准电压源，其特征在于：包括：第一、第二PMOS管组成的第一共栅差分对，第六、第七PMOS管组成的第二共栅差分对，第三、第四PMOS管组成的第三共栅差分对，第八、第九PMOS管组成的第四共栅差分对，第一、第二PNP型三极管，第一、第二运放，第五、第十PMOS管，具有负温度系数的第一、第二、第三电阻，具有正温度系数的第四电阻；其中：所述第一、第二、第三、第四、第五PMOS管源极均接电源正极；所述第二共栅差分对的共栅极连接点、第四共栅差分对的栅极连接点、第十PMOS管栅极均接偏置电压；所述第六PMOS管的源极接所述第一PMOS管漏极；所述第七PMOS管的源极接所述第二PMOS管漏极；所述第八PMOS管的源极接所述第三PMOS管漏极；所述第九PMOS管的源极接所述第四PMOS管漏极；所述第十PMOS管的源极接所述第五PMOS管漏极；所述第一运放，其负输入端接所述第一PNP型三极管发射极，其正输入端连接第一电阻一端、第二运放负输入端、第七PMOS管漏极，其输出端连接第一共栅差分对的栅极连接点、第五PMOS管栅极；所述第二运放，其正输入端连接第二电阻一端、第八PMOS管漏极，其输出端连接第三共栅差分对的栅极连接点；所述第一电阻，其另一端接第二PNP型三极管发射极；所述第三、第四电阻一端分别于第九PMOS管漏极连接；所述第四电阻的另一端与第十PMOS管漏极连接；所述第一PNP型三极管的基极以及集电极、第二PNP型三极管的基极以及集电极、第二电阻另一端、第三电阻另一端接电源负极。