[发明专利]晶圆缺陷检测方法

摘要

本发明揭示了一种晶圆缺陷检测方法，首先，提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片；然后，获取一待测晶圆的待测芯片，所述待测芯片与标准芯片的大小相等；最后，将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常。在本发明提供的晶圆缺陷检测方法中，对所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，当所述待测芯片与标准晶圆存在明显差异时，可以方便地检测出来，从而准确地检测出晶圆之间的差异，确保检测的准确性。

主权项

一种晶圆缺陷检测方法，包括：提供一标准晶圆，根据所述标准晶圆上的多个标准芯片建立一虚拟层间标准芯片；其中，建立所述虚拟层间标准芯片的步骤包括：从所述标准晶圆上抽样产生多个标准芯片，每一所述标准芯片的相同位置均具有一标准像素点；根据多个所述标准像素点的灰度值，得到一虚拟层间标准值；以及，所述虚拟层间标准芯片包括所述虚拟层间标准值；获取一待测晶圆的待测芯片，所述待测芯片与标准芯片的大小相等；将所述待测芯片与虚拟层间标准芯片进行比较，根据比较结果判断所述待测晶圆是否正常；其中，所述待测芯片与所述虚拟层间标准芯片的比较并判断的步骤包括：所述待测芯片上具有与所述标准像素点相对应的待测像素点；检测所述待测像素点的灰度值，将所述待测像素点的灰度值与所述虚拟层间标准芯片进行比较，得到一层间灰度差值；以及，将所述层间灰度差值与一层间灰度范围进行比较，如果所述层间灰度差值在所述层间灰度范围内，则所述待测晶圆符合所述标准晶圆的标准；如果所述层间灰度差值超出所述层间灰度范围，则所述待测晶圆不符合所述标准晶圆的标准。