[发明专利]半导体器件及其生产方法有效
| 申请号： | 201410083341.X | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104037070B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | A·毛德;R·奥特雷姆巴;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于生产半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底；在衬底上提供至少一个半导体器件，该半导体器件具有与半导体衬底相对的背面和朝向半导体衬底的正面；在半导体器件的背面上提供接触层；将接触层接合到辅助载体；并且从衬底分离该至少一个半导体器件。此外，本发明还提供一种根据该方法生产的半导体器件和中间产品。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上提供至少一个半导体器件，其中所述半导体器件是竖直半导体器件，并且是二极管、肖特基二极管、混合PIN肖特基二极管、JFET和MOSFET中的至少一项；其中所述至少一个半导体器件包括第二半导体层，所述第二半导体层具有所述至少一个半导体器件的漂移区的掺杂，并且所述第二半导体层的形成所述至少一个半导体器件的背面的表面背离所述衬底，使得所述背面被布置成与所述半导体衬底相对，并且正面被布置成朝向所述半导体衬底；在所述半导体器件的所述背面上提供接触层；将所述接触层接合到辅助载体；并且从所述衬底分离所述至少一个半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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