[发明专利]在FinFET中扩展伪单元插入的工艺有效
| 申请号： | 201410083556.1 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104051271B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 柯利昇;蔡旻原;许家荣;林宏隆;杨稳儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种在FinFET中扩展伪单元插入的工艺，该工艺包括在集成电路（IC）布局中确定空白区域，其中，该空白区域是不包括任何有源鳍和位于最小间隔边界以外的区域，在该空白区域之上应用网格图，其中，该网格图包括位于空白区域内的多个网格，以及通过在多个网格中的每个中设置伪鳍单元来以多个伪鳍单元填充该空白区域，其中，通过计算机执行应用网格图和填充空白区域。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 扩展 单元 插入 工艺 | ||
【主权项】：
一种设计集成电路(IC)布局的方法，包括：在集成电路布局中确定空白区域，其中，所述空白区域是不包括任何有源鳍并位于最小间隔边界以外的区域；在所述空白区域之上应用网格图，所述网格图包括位于所述空白区域内的多个网格；以及通过在所述多个网格中的每一个中设置伪鳍单元来以多个伪鳍单元填充所述空白区域，其中，使用计算机来执行应用所述网格图和填充所述空白区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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