[发明专利]一种VDMOS的制造方法和VDMOS

摘要

本发明提供一种VDMOS的制造方法和VDMOS，该方法包括在N型外延层上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层，该多晶硅层的中间固定区域为绝缘区域，该多晶硅层的中间固定区域外的其他区域为掺杂区域；在N型外延层上依次形成P‑体区、N型源区、氮化硅层、P+区、介质层、接触孔和金属层。本发明实施例彻底消除了现有VDMOS的栅‑漏电容。

主权项

一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在N型外延层上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成多晶硅层，所述多晶硅层的中间固定区域为绝缘区域，所述多晶硅层的中间固定区域外的其他区域为掺杂区域；在所述N型外延层上依次形成P‑体区、N型源区、氮化硅层、P+区、介质层、接触孔和金属层；所述在所述栅氧化层上形成多晶硅层，包括：在所述栅氧化层上依次形成原始多晶硅层和氮化硅隔离层；对所述氮化硅隔离层进行刻蚀处理，以暴露预定区域内的所述原始多晶硅层；并将除所述预定区域内的其他区域的所述原始多晶硅层作为所述多晶硅层的绝缘区域；对所述预定区域内的所述原始多晶硅层进行磷离子掺杂，以在所述预定区域内形成掺磷多晶硅层；对所述掺磷多晶硅层进行刻蚀处理，使得所述掺磷多晶硅层在所述多晶硅层的绝缘区域外围固定区域内保留；并将保留的所述掺磷多晶硅层作为所述多晶硅层的掺杂区域；所述对所述预定区域内的所述原始多晶硅层进行磷离子掺杂，以在所述预定区域内形成掺磷多晶硅层，包括：将所述预定区域内的所述原始多晶硅层置于充斥三氯氧磷的炉管中，以在所述预定区域内形成掺磷多晶硅层；所述炉管温度大于或等于700℃，且小于或等于1000℃。