[发明专利]闪存单元的操作方法有效
| 申请号： | 201410083739.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103824593B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存单元的操作方法。所述闪存单元的操作方法包括对第一存储位进行读取操作时，施加第一读取电压至中间电极，施加第二读取电压至第一控制栅极，施加第三读取电压至第二控制栅极和第一位线电极，将第二位线电极与读取电路连接；对第二存储位进行读取操作时，施加第一读取电压至中间电极，施加第二读取电压至第二控制栅极，施加第三读取电压至第一控制栅极和第二位线电极，将第一位线电极与读取电路连接。本发明提供的闪存单元的操作方法，提高了所述闪存单元的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 操作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存单元的操作方法，所述闪存单元包括中间电极、第一存储位以及第二存储位，所述第一存储位包括第一位线电极、第一浮栅和第一控制栅极，所述第二存储位包括第二位线电极、第二浮栅和第二控制栅极；其特征在于，所述闪存单元的操作方法包括：对所述第一存储位进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一位线电极，将所述第二位线电极与读取电路连接，所述第三读取电压使所述第一位线电极扩散，以使导电沟道隔开所述第一位线电极和所述第一浮栅之间的区域；对所述第二存储位进行读取操作时，施加所述第一读取电压至所述中间电极，施加所述第二读取电压至所述第二控制栅极，施加所述第三读取电压至所述第一控制栅极和所述第二位线电极，将所述第一位线电极与读取电路连接，所述第三读取电压使所述第二位线电极扩散，以使导电沟道隔开所述第二位线电极和所述第二浮栅之间的区域。
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