[发明专利]双面薄膜光伏电池及其制备方法无效
申请号: | 201410083895.X | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN103811567A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 来霸;王奇;于化丛 | 申请(专利权)人: | 南京汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 210042 江苏省南京市经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面薄膜光伏电池及其生产工艺,其中双面薄膜光伏电池,包括自下而上依次设置的基底、第一透明导电膜、P型光伏吸收层薄膜、N型硫化镉膜层和第二透明导电膜;所述基底为高分子薄膜材料;所述第一透明导电膜和第二透明导电膜均为通过物理化学吸附法处理的石墨烯薄膜。本发明采用改性的石墨烯薄膜新材料替代常规CIGS薄膜光伏电池中的透明导电膜和金属电极层,通过双面高透光性、高导电性的石墨烯薄膜,有效提升薄膜光伏电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 双面 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
双面薄膜光伏电池,其特征在于:包括自下而上依次设置的基底(101)、第一透明导电膜(102)、P型光伏吸收层薄膜(103)、N型硫化镉膜层(104)和第二透明导电膜(105);所述基底(101)为高分子薄膜材料;所述第一透明导电膜(102)和第二透明导电膜(105)均为通过物理化学吸附法处理的石墨烯薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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