[发明专利]半导体晶片的杂质热扩散处理工艺

摘要

本发明提供在半导体晶片的最外表面的杂质热扩散中，抑制杂质向需要杂质扩散的表层以外的部位扩散的杂质热扩散处理工艺。半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，它是在半导体晶片的表面至10μm深度的表层进行杂质的热扩散的工艺，在半导体晶片的与使杂质扩散剂扩散的表面相反侧的表面上涂布硅溶胶，抑制杂质向所述表层以外热扩散。

主权项

1.半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，它是在半导体晶片的表面至10μm深度的表层进行杂质的热扩散的工艺，半导体晶片使用p型时，在表面涂布含磷5价元素的化合物，硅晶片使用n型时，在表面涂布含硼3价元素的化合物，在半导体晶片的与使杂质扩散剂扩散的表面相反侧的表面上以非真空工艺的涂布方式通过旋涂法或丝网印刷法涂布硅溶胶，抑制杂质向所述表层以外热扩散，所述硅溶胶中的二氧化硅固体成分的含量为5～50质量％，所述硅溶胶所含的胶体二氧化硅的平均粒径为3～1000nm。