[发明专利]铁、铬、锰或钴掺杂的钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法

摘要

本发明公开了一种铁、铬、锰或钴共掺杂钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为La₃M_0.5Ga_5.5(1-x)M′_5.5xO₁₄(M=Ta、Nb，M′=Fe、Cr、Mn、Co，0<x≤1)；熔体法生长方法为：将La₂O₃、M₂O₅、Ga₂O₃、M′₂O₃按比例配制并充分混合好后，压制成形，经高温烧结后，用作晶体生长初始原料；把生长初始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长，获得具有性价比高、更有利于普及应用的压电单晶，可以广泛应用于通讯、高温压力检测等领域。

主权项

一种铁、铬、锰或钴掺杂的钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体，其特征在于，其分子式可表示为La₃M_0.5Ga_5.5(1‑x)M′_5.5xO₁₄，其中，M＝Ta、Nb，M′=Fe、Cr、Mn、Co，x的取值范围为：0<x≤1。