[发明专利]图像传感器的像素单元及其形成方法有效
申请号: | 201410084191.4 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN103811510A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 饶金华;张克云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高动态范围的图像传感器像素单元及其形成方法,其中的图像传感器的像素单元包括:位于衬底内相互分立的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;位于衬底表面的第一栅极结构,第一栅极结构具有第一端和第二端,第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间,用于构成传输晶体管,第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间,用于构成控制晶体管,传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压,传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号;位于衬底表面的复位晶体管,用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。所述图像传感器像素单元的电路布图结构得到简化、提高像素填充率(Fill factor)。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器的像素单元,其特征在于,包括:衬底;位于衬底内的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区,所述光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区相互分立;位于衬底表面的第一栅极结构,所述第一栅极结构具有第一端和第二端,所述第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间,用于构成传输晶体管,所述第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间,用于构成控制晶体管,所述传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压,所述传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号;位于衬底表面的复位晶体管,用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的