[发明专利]晶体管的测试结构以及测试方法有效
| 申请号： | 201410084281.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103811372A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的测试结构及测试方法，测试结构包括测试机台，串联于待测晶体管的源极与漏极之间，用于产生测试信号，并测量待测晶体管源极与漏极之间的关态电容；偏置电压源，与待测晶体管的栅极耦接，用于使待测晶体管保持关闭状态；以及第一电阻，串联于待测晶体管的栅极与偏置电压源之间，用于使测试机台产生的测试信号流向源极。测试方法包括：提供待测晶体管；在待测晶体管的源极和漏极之间设置测试机台；通过测试机台测量源极与漏极之间的关态电容；在待测晶体管的栅极上耦接偏置电压源；在栅极与偏置电压源之间串联第一电阻，用于使测试机台产生的测试信号流向源极。本发明能在测试过程中使得晶体管的关态电容更接近真实值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 测试 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的测试结构，其特征在于，包括：测试机台，串联于待测晶体管的源极与漏极之间，用于产生测试信号，并测量所述待测晶体管源极与漏极之间的关态电容；偏置电压源，与所述待测晶体管的栅极耦接，用于使所述待测晶体管保持关闭状态；以及：第一电阻，串联于所述待测晶体管的栅极与所述偏置电压源之间，用于使测试机台产生的测试信号流向源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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