[发明专利]1,8-位咔唑衍生物、其制备方法及其在发光器件中的应用无效
申请号: | 201410085106.6 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN103848822A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王磊;穆广园 | 申请(专利权)人: | 武汉尚赛光电科技有限公司 |
主分类号: | C07D403/14 | 分类号: | C07D403/14;C07D417/14;C07D401/14;H01L51/54 |
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地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种新型1,8位咔唑取代衍生物及其制备方法、和使用该咔唑衍生物的光学器件,其中所述1,8位咔唑取代衍生物具有下述的通式结构:该咔唑衍生物的1和8位为吸电子基团,3,6和9位为烷基。实现合成1,8-二取代咔唑。所述咔唑衍生物能有效增大了激子的生成概率,有效提高器件的发光效率,可广泛应用于有机电致发光领域。 | ||
搜索关键词: | 位咔唑 衍生物 制备 方法 及其 发光 器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
1.一种1,8-位咔唑衍生物,其特征在于:具有式(Ⅰ)所示的结构:其中,Ar1和Ar2独立地为吸电子基团;R2、R2、R3分别独立地为氢或烷基。
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