[发明专利]一种制备碲化亚铜薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201410085556.5 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN103864027A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 刘科高;高稳成;迟克训;李静;徐勇;石磊 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种制备碲化亚铜薄膜材料的方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤获得,首先清洗铜基片,然后将TeO2放入溶剂中,并调整pH值,用旋涂法在铜片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将此密闭容器进行加热后,取出样品并干燥,得到碲化亚铜光电薄膜。本发明不需要高温和真空条件、对设备仪器要求低并容易操作,具有生产成本低、效率高等优点。这种新工艺为制备高性能的碲化亚铜光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
搜索关键词: 一种 制备 碲化亚铜 薄膜 方法
【主权项】:
一种制备碲化亚铜薄膜的方法,包括如下步骤:a.铜基片的打磨清洗;b.将1.873份TeO2放入39.789份去离子水中均匀混合;c.在匀胶机上吸附基片并在表面均匀涂抹步骤b所述溶液后烘干,得到前驱体薄膜样品;d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有1.791份水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触;将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~20小时,然后冷却到室温取出;e.将步骤d所得产物,进行干燥,得到碲化亚铜薄膜。
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