[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410085710.9 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104051590A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;佐村洋平 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种其中在设置有不平整形状的蓝宝石衬底上生长有平坦半导体层的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。当蓝宝石衬底的主表面上的平坦表面面积S与蓝宝石衬底的总面积K的面积比R为0.1以上至小于0.5时，在其主表面上具有不平整形状的蓝宝石衬底上形成半导体层时，供应包含第III族元素的原料气体和包含第V族元素的原料气体的至少两种气体使得满足公式1000≤Y/(2×R)≤1200。在公式中，Y为包含第V族元素的原料气体与包含第III族元素的原料气体的分压比。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：制备在主表面上具有不平整的形状的蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底的所述不平整的形状上形成低温缓冲层；和在所述低温缓冲层上生长包含第III族氮化物半导体的半导体层，其中生长所述半导体层包括通过供应至少两种类型的气体：包含第III族元素的原料气体和包含第V族元素的原料气体，以满足下列公式从而在所述低温缓冲层上形成第一半导体层：1000≤Y/(2×R)≤1200R=S/K0.1≤R<0.5Y:所述包含第V族元素的原料气体与所述包含第III族元素的原料气体的分压比R:所述蓝宝石衬底的平坦表面与所述蓝宝石衬底的总面积的面积比S：所述蓝宝石衬底的主表面一侧上的所述平坦表面的面积K:所述蓝宝石衬底的总面积。
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