[发明专利]光电阴极有效
| 申请号： | 201410085728.9 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103887126B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 松井利和;浜名康全;中村公嗣;石上喜浩;小栗大二郎 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J31/26 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 阴极 | ||
【主权项】：
一种光电阴极，其特征在于，具备光电子射出层，该光电子射出层含有Sb和Bi并根据光的入射而向外部射出光电子，在所述光电子射出层中含有相对于Sb以及Bi为0.4mol％以上且6.9mol％以下的Bi。
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