[发明专利]异质结晶体管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410086077.5 申请日: 2014-03-10
公开(公告)号: CN104037081A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 郭俊植;韩釉大;李宽铉;竹谷元伸;郑暎都 申请(专利权)人: 首尔半导体株式会社
主分类号: H01L21/335 分类号: H01L21/335;H01L29/778
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金光军;邱玲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种异质结晶体管及其制造方法,其中,所述异质结晶体管借助于栅槽结构而具备常关特性,并包括:基板;沟道层,形成于基板上,并由具有第一能带间隙的第一氮化物系半导体构成;第一壁垒层,形成于沟道层上,并由具有不同于第一能带间隙的第二能带间隙的第二氮化物系半导体构成;栅极,形成于第一壁垒层的栅极控制区域;第二壁垒层,在第一壁垒层的栅极非控制区域中独立于第一壁垒层而形成。
搜索关键词: 结晶体 及其 制造 方法
【主权项】:
一种异质结晶体管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步骤,准备基板;第二步骤,在所述基板上形成由具有第一能带间隙的第一氮化物系半导体构成的沟道层;第三步骤,在所述沟道层上形成由具有不同于所述第一能带间隙的第二能带间隙的第二氮化物系半导体构成的第一壁垒层;第四步骤,在所述第一壁垒层上的栅极控制区域中选择性形成绝缘屏蔽层;第五步骤,以等于或小于所述绝缘屏蔽层高度的高度在所述第一壁垒层上形成由具有不同于所述第一能带间隙的第三能带间隙的第三氮化物系半导体构成的第二壁垒层;第六步骤,除去所述绝缘屏蔽层,并在暴露于所述栅极控制区域的所述第一壁垒层上形成栅极。
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