[发明专利]异质结晶体管及其制造方法在审
申请号: | 201410086077.5 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN104037081A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 郭俊植;韩釉大;李宽铉;竹谷元伸;郑暎都 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金光军;邱玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种异质结晶体管及其制造方法,其中,所述异质结晶体管借助于栅槽结构而具备常关特性,并包括:基板;沟道层,形成于基板上,并由具有第一能带间隙的第一氮化物系半导体构成;第一壁垒层,形成于沟道层上,并由具有不同于第一能带间隙的第二能带间隙的第二氮化物系半导体构成;栅极,形成于第一壁垒层的栅极控制区域;第二壁垒层,在第一壁垒层的栅极非控制区域中独立于第一壁垒层而形成。 | ||
搜索关键词: | 结晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结晶体管的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步骤,准备基板;第二步骤,在所述基板上形成由具有第一能带间隙的第一氮化物系半导体构成的沟道层;第三步骤,在所述沟道层上形成由具有不同于所述第一能带间隙的第二能带间隙的第二氮化物系半导体构成的第一壁垒层;第四步骤,在所述第一壁垒层上的栅极控制区域中选择性形成绝缘屏蔽层;第五步骤,以等于或小于所述绝缘屏蔽层高度的高度在所述第一壁垒层上形成由具有不同于所述第一能带间隙的第三能带间隙的第三氮化物系半导体构成的第二壁垒层;第六步骤,除去所述绝缘屏蔽层,并在暴露于所述栅极控制区域的所述第一壁垒层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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