[发明专利]电平转换电路有效
| 申请号： | 201410086115.7 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103825599B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电平转换电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，其中，第一NMOS管为在深N阱的NMOS管，第一NMOS管的源极连接第一NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极；第二NMOS管为在深N阱的NMOS管，第二NMOS管的源极连接第二NMOS管的衬底和第四NMOS管的漏极；第三NMOS管的源极连接衬底和地，第三NMOS管的栅极适于输入输入信号；第四NMOS管的源极连接衬底和地，第四NMOS管的栅极适于输入输入信号的反相信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种电平转换电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；所述第一PMOS管的源极连接衬底并适于输入第一电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极和第三PMOS管的衬底，所述第一PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极；所述第二PMOS管的源极连接衬底并适于输入所述第一电压，所述第二PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极和第四PMOS管的衬底，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管为在深N阱的NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极；所述第二NMOS管为在深N阱的NMOS管，所述第二NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的衬底和第四NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的源极连接衬底和地，所述第三NMOS管的栅极适于输入输入信号；所述第四NMOS管的源极连接衬底和地，所述第四NMOS管的栅极适于输入所述输入信号的反相信号；所述第一NMOS管的深N阱适于输入第四电压；所述第三PMOS管的栅极适于输入第二电压；所述第四PMOS管的栅极适于输入第三电压；所述第一NMOS管的栅极适于输入所述第四电压；所述第二NMOS管的栅极适于输入第五电压；所述第二NMOS管的深N阱适于输入所述第五电压。
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