[发明专利]互补式金属氧化物半导体应用中移除栅极盖罩层的方法有效
| 申请号： | 201410086751.X | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051342B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | P·扎沃卡;R·里克特;S·弗莱克豪斯基;J·亨治尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种互补式金属氧化物半导体应用中移除栅极盖罩层的方法，其中，在此所揭露的一个例示方法包含下列步骤形成屏蔽层，其覆盖P型晶体管以及暴露N型晶体管的至少栅极盖罩层；经由该屏蔽层执行第一蚀刻工艺以移除该N型晶体管的该栅极盖罩的一部分，藉此定义该N型晶体管的缩减厚度栅极盖罩层；移除该屏蔽层；以及对该P型晶体管和该N型晶体管执行共同的第二蚀刻工艺，以移除该P型晶体管的栅极盖罩层以及该N型晶体管的缩减厚度栅极盖罩。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 应用 栅极 盖罩层 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：形成牺牲侧壁间隔物邻接于P型晶体管及N型晶体管的各者的栅极结构，其中该牺牲侧壁间隔物的材料具有相对于栅极盖罩层的材料的蚀刻选择性，该栅极盖罩层形成在该P型晶体管及该N型晶体管的各者的该栅极结构上方；形成屏蔽层，其覆盖该P型晶体管以及至少暴露该N型晶体管的该栅极盖罩层；经由该屏蔽层执行第一蚀刻工艺，相对于该N型晶体管的该牺牲侧壁间隔物以选择性地移除该N型晶体管的该栅极盖罩的一部分，藉此定义该N型晶体管的缩减厚度栅极盖罩层；移除该屏蔽层；以及对该P型晶体管和该N型晶体管执行共同的第二蚀刻工艺，相对于个别该N型晶体管及该P型晶体管的该牺牲侧壁间隔物以选择性地移除该P型晶体管的该栅极盖罩层以及该N型晶体管的该缩减厚度栅极盖罩层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
