[发明专利]3DIC互连装置和方法有效
| 申请号： | 201410086767.0 | 申请日： | 2014-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104733435B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡纾婷;杨敦年;刘人诚;陈愉婷;周世培 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬，且用导电材料填充开口以形成导电插塞。 | ||
| 搜索关键词： | dic 互连 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的互连装置，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、多个第一介电层和在所述第一衬底上方的所述第一介电层中形成的多个第一金属线；第二半导体芯片，具有与所述第一半导体芯片的第一表面接合的表面，其中，所述第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层和在所述第二衬底上方的所述第二介电层中形成的多个第二金属线；导电插塞，从所述第一半导体芯片的第二表面延伸至所述第二半导体芯片中的所述多个第二金属线中的一个；以及多个内衬，插入在所述导电插塞和所述第一衬底之间，所述多个内衬中的至少一个不在所述导电插塞和所述多个第一介电层之间延伸，所述多个内衬包括第一内衬和第二内衬，所述第一内衬接触所述第一衬底，所述第二内衬接触所述第一内衬，所述第二内衬的最上表面不在所述第一内衬的最上表面之上延伸。
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