[发明专利]硅衬底上的III-V鳍片FET在审
| 申请号： | 201410087002.9 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051536A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·巴苏;郑政玮;A·马宗达;R·M·马丁;U·拉纳;D·K·萨达那;徐崑庭;孙艳宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及硅衬底上的III-V鳍片FET。一种用于形成鳍片场效应晶体管的方法，包括：在硅衬底上形成电介质层；在所述电介质层中向下至所述衬底形成高纵横比沟槽，所述高纵横比包括大于约1:1的高度对宽度比；以及使用纵横比捕获工艺在所述沟槽中外延生长不含硅半导体材料以形成鳍片。蚀刻所述一个或多个电介质层以暴露所述鳍片的一部分。在所述鳍片的所述部分上外延生长阻挡层，并且在所述鳍片上形成栅极叠层。在所述栅极叠层和所述鳍片的所述部分周围形成间隔物。将掺杂剂注入到所述鳍片的所述部分中。使用不含硅半导体材料在所述鳍片上生长源区和漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 iii fet | ||
【主权项】：
一种用于形成鳍片场效应晶体管的方法，包括：在硅衬底上形成一个或多个电介质层；在所述一个或多个电介质层中向下至所述衬底形成高纵横比沟槽，所述高纵横比包括大于约1:1的高度对宽度比。使用纵横比捕获工艺在所述沟槽中外延生长不含硅半导体材料以形成鳍片；蚀刻所述一个或多个电介质层以暴露所述鳍片的一部分；在所述鳍片的所述部分上外延生长阻挡层；以相对于所述鳍片的纵向方向的横向取向在所述鳍片上形成栅极叠层；在所述栅极叠层和所述鳍片的所述部分周围形成间隔物；向所述鳍片的所述部分中注入掺杂剂；以及使用不含硅半导体材料在所述鳍片上生长源区和漏区。
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