[发明专利]背面隔离器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410087481.4 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103824805A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王连红;董金文;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种背面隔离器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一表面和与之相对的第二表面；所述半导体基底包括至少两个器件单元区域以及隔离区域，所述隔离区域位于相邻的所述器件单元区域之间；所述隔离区域内的所述第一表面具有第一隔离结构，所述隔离区域内的所述第二表面具有第二隔离结构。同时，本发明还提供一种背面隔离器件的制备方法。采用本发明的背面隔离器件，所述第二隔离结构可以有效地防止一个所述器件单元区域中的电荷载流子流入相邻的所述器件单元区域中，从而能够减少或避免相邻的器件之间的电串扰，提高器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 隔离 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背面隔离器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一表面和与之相对的第二表面；所述半导体基底包括至少两个器件单元区域以及隔离区域，所述隔离区域位于相邻的所述器件单元区域之间；所述隔离区域内的所述第一表面具有第一隔离结构，所述隔离区域内的所述第二表面具有第二隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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