[发明专利]具有AlzGa1‑zN层的半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410087745.6 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051232B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | S·B·塔帕;T·施罗德;L·塔尔纳夫斯卡 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 李振东,过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片，其包括以下给定顺序的层主要由硅组成的、具有（111）表面取向的单晶基底晶片（1）；具有（111）表面取向的单晶Sc2O3层（3）；具有（111）表面取向的单晶ScN层（4）；及具有（0001）表面取向的、其中0≤z≤1的单晶AlzGa1‑zN层（6）。本发明还涉及制造该半导体晶片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 alzga1 zn 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体晶片，其包括以下给定顺序的层：‑具有(111)表面取向的单晶硅基底晶片(1)，‑具有(111)表面取向的单晶Sc2O3层(3)，‑具有(111)表面取向且厚度为2至500nm的单晶ScN层(4)，及‑具有(0001)表面取向的、其中0≤z≤1的单晶AlzGa1‑zN层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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