[发明专利]可精细控制温度的晶圆加热系统

摘要

本发明公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶圆的方法和系统，其中，化学反应需要设置化学品和晶圆加热。将晶圆放置在晶圆加热器之上，从而使第二表面面对晶圆加热器，并且从第二表面加热晶圆。化学层形成在相对的第一表面上。设置晶圆加热器的尺寸并且将晶圆加热器配置为能够加热整个第二表面，并且如果需要，晶圆加热器适合于产生局部不同的温度分布。在加热期间，可以监测晶圆上的实际温度分布且将实际温度分布传输至计算系统，计算系统可以产生目标温度分布并且根据目标温度分布控制晶圆加热器以调整晶圆上的局部温度。用于加热化学品的辅助加热器可以用于更精细地控制晶圆温度。

主权项

一种用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，包括：化学品设置器，适合于将化学材料设置在所述第一晶圆表面上方以形成化学层；以及第一加热器，设置在晶圆处理工作台上，当晶圆被放置在所述第一加热器上方从而使得所述第二晶圆表面面对所述第一加热器时，所述第一加热器适合于从所述第二晶圆表面加热所述晶圆使得所述晶圆加热至所述化学材料的沸点温度以上的温度，其中，所述第一加热器进一步适合于在所述晶圆上产生局部不同的目标温度分布；第二加热器，设置在所述晶圆之上并被配置为用于在所述化学层形成之后加热所述化学层使得所述化学层加热至所述化学材料的沸点温度以下的温度。