[发明专利]互连线结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410088052.9 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871964B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞;李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连线结构及其形成方法。其中，所述互连线结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个分立的互连线，相邻所述互连线之间为沟槽；形成第一层间介质层覆盖所述互连线，所述第一层间介质层部分填充所述沟槽直至形成开口；形成第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层，所述开口被所述第二层间介质层密封形成空气隙；对所述第二层间介质层进行平坦化。通过所述形成方法形成的互连线结构质量提高，并且所述形成方法工艺简单，工艺成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连线结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个分立的互连线，相邻所述互连线之间为沟槽；形成第一层间介质层覆盖所述互连线，所述第一层间介质层部分填充所述沟槽直至形成开口；形成第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层，所述开口被所述第二层间介质层密封形成空气隙；对所述第二层间介质层进行平坦化；所述沟槽的宽度为0.5μm～10μm；所述第一层间介质层上表面高出所述互连线![]()
所述第二层间介质层的初始厚度为![]()
平坦化后所述第二层间介质层的剩余厚度为![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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