[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，用于闪存中存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙和低压区栅极的制造，包括提供形成存储区栅极侧墙前产品，包括衬底、存储区栅极、高压区栅极、低压区氧化层、以及低压区多晶硅层；在所述产品表面沉积牺牲氧化层；在所述牺牲氧化层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行针对低压区栅极的图案化；以图案化后的光刻胶为掩膜对所述牺牲氧化层和部分低压区多晶硅层进行刻蚀，之后去除所述光刻胶；对去除所述光刻胶之后的产品表面进行刻蚀，以形成存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙、低压区栅极氧化层和低压区栅极。本发明简化了闪存中半导体器件的制造流程，进而提高了生产效率和降低生产成本。

主权项

一种半导体器件的制造方法，用于闪存中存储区栅极侧墙、高压区栅极侧墙和低压区栅极的制造，所述方法包括：提供形成存储区栅极侧墙前产品，所述形成存储区栅极侧墙前产品包括衬底、形成于所述衬底上的存储区栅极、形成于所述衬底上的高压区栅极、形成于所述衬底上的低压区氧化层、以及形成于所述低压区氧化层上的低压区多晶硅层；在所述形成存储区栅极侧墙前产品表面沉积牺牲氧化层，以覆盖所述存储区栅极的顶面和侧壁、覆盖所述高压区栅极的顶面和侧壁、覆盖所述低压区多晶硅层的顶面和侧壁、以及覆盖所述衬底的表面；在所述牺牲氧化层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行针对低压区栅极的图案化，以形成覆盖整个存储区、覆盖整个高压区以及覆盖部分低压区的光刻胶；以图案化后的光刻胶为掩膜对所述牺牲氧化层和部分低压区多晶硅层进行刻蚀，使得被刻蚀部分的低压区多晶硅层顶面低于未被刻蚀部分的低压区多晶硅层顶面，之后去除所述光刻胶；对去除所述光刻胶之后的产品表面进行刻蚀，以去除覆盖于所述存储区栅极顶面的牺牲氧化层、覆盖于所述高压区栅极顶面的牺牲氧化层、覆盖于所述衬底表面的牺牲氧化层、所述被刻蚀部分的低压区多晶硅层、以及所述被刻蚀部分的低压区多晶硅层之下的低压区氧化层，使得保留于所述存储区栅极侧壁的牺牲氧化层形成存储区栅极侧墙，使得保留于所述高压区栅极侧壁的牺牲氧化层形成高压区栅极侧墙，使得保留于所述衬底表面的低压区氧化层形成低压区栅极氧化层，使得保留于所述低压区栅极氧化层上的低压区多晶硅层形成低压区栅极。