[发明专利]一种Mg2Si增强镁基复合材料连接方法

摘要

本发明公开了一种Mg₂Si增强镁基复合材料连接方法，克服现有技术存在的连接时Mg₂Si烧损问题；包括以下步骤：1）将Mg₂Si增强镁基复合材料两待连接件表面用砂纸打磨；按照待连接件表面尺寸，制作纯Cu、纯Al或纯Ni作为中间层，在砂纸上打磨，去除表面氧化膜；2）对两待连接件和中间层清洗，除去表面的油污和杂质；3）将中间层置于两待连接件之间，在连接件两侧施加恒定连接压力，使用真空炉进行加热；4）纯Cu作为中间层，在真空炉中加热到490-520℃连接温度，纯Al作为中间层，加热到460-480℃连接温度；纯Ni作为中间层，加热到520-540℃连接温度，之后均保温10-30min，然后随真空炉冷却到室温；本发明工艺简单，焊缝成分均匀一致，且具有较高的连接强度。

主权项

一种Mg₂Si增强镁基复合材料连接方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将Mg₂Si增强镁基复合材料两待连接件表面用砂纸打磨，去除表面的氧化膜；按照待连接件表面尺寸，分别制作纯Cu、纯Al或纯Ni作为中间层，在砂纸上打磨中间层，去除表面的氧化膜；2）对打磨后的Mg₂Si增强镁基复合材料两待连接件和中间层进行清洗，除去表面的油污和杂质；3）将中间层置于Mg₂Si增强镁基复合材料两待连接件之间，在连接件两侧施加恒定的连接压力，使用真空炉进行加热；4）纯Cu作为中间层,在真空炉中加热到490‑520℃连接温度后保温10‑30min，然后随真空炉冷却到室温；纯Al作为中间层,在真空炉中加热到460‑480℃连接温度后保温10‑30min，然后随真空炉冷却到室温；纯Ni作为中间层,在真空炉中加热到520‑540℃连接温度后保温10‑30min，然后随真空炉冷却到室温。