[发明专利]高电阻低位错GaN薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201410089597.1 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103887326A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何晓光;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;杨静;乐伶聪;李晓静;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既补偿背景载流子，提高材料电阻率的目的。通过控制生长初期的氨气流量，引入合并层，延长晶体三维生长到二维生长的过度时间，从而达到在保证材料高电阻率的前提下降低外延膜的位错密度，提高晶体质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 低位 gan 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高阻低位错GaN薄膜，包括： 一衬底； 一GaN低温成核层，其制作在衬底上； 一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上； 一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。
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