[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410090726.9 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN104916539B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 库尔班·阿吾提;李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作半导体器件的方法，根据本发明的制作方法提出了一种新的阱隔离和沟道停止注入的方法，在实施阱隔离和沟道停止注入时位于鳍片顶部的硬掩膜层阻止该注入，掺杂剂将不会注入到鳍片中，这样将减少对鳍片的损伤和减少掺杂剂注入到鳍片中。同时，该方法还能提高载流子的迁移率以及较薄的鳍片结构有助于下一代小尺寸的FinFET半导体器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成第一鳍片结构；执行第一氧化工艺氧化露出的所述第一鳍片结构，以在所述第一鳍片结构的两侧形成氧化层；去除所述氧化层，以形成第二鳍片结构；对未被所述硬掩膜层遮盖的区域执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成隔离材料层以及填充所述第二鳍片结构之间的凹槽；回刻蚀去除部分的所述隔离材料层；对所述隔离材料层执行沟道停止注入工艺，其中，在实施所述阱注入工艺和所述沟道停止注入工艺中，所述硬掩膜层能阻止掺杂剂注入到所述第二鳍片结构中，以减少对所述第二鳍片结构的损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
