[发明专利]电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺有效
| 申请号： | 201410091370.0 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103866366B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 潘勤峰 | 申请（专利权）人： | 江苏铭丰电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C25D3/38;C25D5/18;C25D7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺。该工艺利用原有铜箔后处理设备，增加辅助脉冲电源，具体步骤包括步骤①采用硫酸H2SO4进行酸洗活化，去除铜箔表面氧化物；步骤②铜基复合镀，在铜箔表面形成铜和高分子材料的复合镀层，将具有极性的高分子有机物均匀分布铜箔表面，并且极性端和铜镀层结晶组织牢固融合，非极性端露出镀层表面，从而能和树脂等非金属材料以化学键形式形成良好的结合力；步骤③水洗，清洗铜箔表面残留溶液，防止铜箔氧化并进入后续加工工序。本发明可以根据电子工业发展需求随意调整铜箔表面的粗糙度，生产双面光滑表面铜箔，满足印制线路板精细线路、高Tg值、高桡性的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 铜箔 高分子材料 复合 处理 工艺 | ||
【主权项】：
电解铜箔铜基高分子材料复合镀处理工艺，该工艺利用原有铜箔后处理设备，增加辅助脉冲电源，具体步骤包括：步骤①：采用硫酸H2SO4进行酸洗活化，去除铜箔表面氧化物；步骤②：铜基复合镀，在铜箔表面形成铜和高分子材料的复合镀层，将极性高分子有机物均匀分布铜箔表面，并且极性端和铜镀层结晶组织牢固融合，非极性端露出镀层表面，从而能和树脂非金属材料以化学键形式形成良好的结合力；步骤③：水洗，清洗铜箔表面残留溶液，防止铜箔氧化并进入后续加工工序。
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