[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设置有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设置有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设置有清洁气体供给控制部的清洁气体供给管；喷头部，具有缓冲室、顶板、气体引导件及分散板，所述缓冲室与所述第一气体供给系统、所述第二气体供给系统、所述第三气体供给系统连接；所述分散板设置在所述缓冲室的下游；所述顶板作为所述缓冲室的盖而构成；所述气体引导件具有与所述顶板连接的基端部、和随着从所述基端部朝向前端部而从所述顶板逐渐远离地构成的板体；衬底载置部，设置在所述分散板的下游，并电接地；处理室，内置有所述衬底载置部；等离子体生成部，具有开关和电源，所述开关具有第一开关及第二开关，所述第一开关构成为一端与气体引导件电连接，另一端与所述电源电连接或电接地；所述第二开关构成为一端与所述分散板电连接，另一端与所述电源电连接或电接地，使所述第一开关与所述电源连接、并使所述第二开关接地从而在所述缓冲室内生成等离子体，使所述第一开关接地、并使所述第二开关与所述电源连接从而在所述处理室生成等离子体；以及控制部，至少控制所述原料气体供给控制部、所述反应气体供给控制部和所述等离子体生成部。