[发明专利]一种双面P型晶体硅电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双面P型晶体硅电池结构及其制备方法，该方法形成的双面P型晶体硅电池结构中包含有背面钝化减反复合膜，减反复合膜包括含有SiO2的硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在双面晶体硅电池硼扩散层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上；该电池结构可降低界面态的密度和界面复合速率，实现对硼扩散层的钝化作用；硼硅玻璃层与氮化硅层形成的BSG/SiNx叠层结构，可实现钝化、扩散掩蔽、抗反射等功能，可以提高电池的开路电压、短路电流和光电转换效率；在背面采用BSG(SiO2‑rich)/SiNx叠层结构，作为电池的背面钝化层、扩散掩蔽层和背面抗反射层，大大简化了工艺，提高了生产效率，降低生产工艺成本。

主权项

一种双面P型晶体硅电池结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将原始硅片进行清洗，去除表面的损伤层，制绒；（2）将步骤（1）处理后的硅片的正面面贴面地放置进行单面硼扩散，硅片背面为硼扩散面；做单面硼扩散时，采用三溴化硼液态源扩散，扩散温度为900～960度，时间为30～60min；（3）在硼扩散结束降温至780～830摄氏度时，通入氧气进行氧化；所述步骤（3）的氧化过程中通入氧气的流量为0.1－10 slm，氧化时间为3－40 min；（4）在氧化后的硼硅玻璃层上用等离子增强化学气相沉积的方法沉积一层氮化硅薄膜；（5）将硅片的正面进行单面化学刻蚀，去除损伤层，去除由硼扩散导致的在正面的绕射扩散层；（6）将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为磷扩散面；（7）去除磷扩散形成的周边结、杂质玻璃层；（8）在硅片的正面沉积减反膜；（9）在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到P型双面受光晶硅太阳能电池。