[发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法

摘要

一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设在顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；周状的基端部，以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接；气体引导件，具有基端部，并配置于分散板的上方；处理室排气部，将处理室的环境气体排气，并设在处理室的下方；至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理室排气部进行控制的控制部。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：对衬底进行处理的处理室；设置于所述处理室的上方，具有对所述处理室均匀地供给气体的分散部的缓冲室；设置于所述缓冲室的顶棚部，相对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设置于所述顶棚部，相对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；气体引导件，其具有：位于所述处理气体供给孔侧的基端部、与所述处理气体供给孔相比位于所述惰性气体供给孔侧的前端部、连接所述基端部和所述前端部之间的板部，所述气体引导件配置在所述分散部和所述顶棚部之间的间隙中；处理室排气部，其将所述处理室的环境气体排气，并设置于所述处理室的下方；至少对所述处理气体供给部、所述惰性气体供给部和所述处理室排气部进行控制的控制部。