[发明专利]双图案化技术中减少颜色密度差异的针脚嵌入有效
申请号: | 201410092693.1 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN104051234B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 王道宁;S·马达范;路易奇卡波迪耶西 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G06F17/50 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及双图案化技术中减少颜色密度差异的针脚嵌入,揭示能减少两个互补曝光掩模及/或布局的窗口之间的密度差异的方法以及用于执行该方法的设备。具体实施例包括决定具有待由第一及第二掩模解析的特征的IC设计中的层;通过比较所述特征的第一集合的第一密度与所述特征的第二集合的第二密度来决定密度差异;决定在待由该第一掩模解析的第一特征的层上的区域;以及基于该密度差异,在该区域内嵌入待由该第二掩模解析的多边形。 | ||
搜索关键词: | 图案 技术 减少 颜色 密度 差异 针脚 嵌入 | ||
【主权项】:
一种用于制造半导体装置的方法,其包括:经由至少一个处理器,决定具有待由第一及第二掩模解析的特征的集成电路(IC)设计的层;经由该至少一个处理器,通过比较所述特征的第一集合的第一密度与所述特征的第二集合的第二密度来决定密度差异;决定在待由该第一掩模解析的所述特征的该第一集合的第一特征的该层上的第一区域;以及基于该密度差异,在该第一区域内嵌入待由该第二掩模解析的多边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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