[发明专利]表面等离子体增强的量子点发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410092711.6 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103840053A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈静;雷威;张晓兵 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面等离子体增强的量子点发光二极管器件及其制备方法，自下而上包括基底上形成的阴极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极，所述发光层制备于空穴传输层之上，由金属纳米颗粒与量子点复合而成；金属纳米颗粒为金、银和铂中的一种或几种，金属纳米颗粒大小20-100nm；量子点颗粒的大小是1-10nm；空穴传输层厚10-50nm,发光层厚5-30nm,电子传输层厚5-40nm；本发明利用金属等离子共振峰与量子点发射波长匹配，使得发射光增强，提高了器件的内量子点效率和外量子效率，增加器件的发光效率，器件的能效大于5lm/W，发光亮度大于800cd/m2。制备方法简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 增强 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
表面等离子体增强的量子点发光二极管器件，自下而上包括基底上形成的阴极（1）、空穴传输层（2）、发光层（3）、电子传输层（4）和阳极（5），其特征在于：所述发光层（3）制备于空穴传输层（2）之上，由金属纳米颗粒与量子点复合而成。
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