[发明专利]一种光罩的检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201410093026.5 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104914664B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 凌文君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光罩的检测结构及检测方法，包括：步骤（a）提供光罩，所述光罩中具有相互隔离的铬晶环组成的铬晶环阵列；步骤（b）在所述光罩中确定检查区域的范围，以将所述铬晶环阵列中最外侧的水平边框和竖直边框设置在所述检查区域以外，设定为非检查区域；步骤（c）在所述光罩中设置第一非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列内部所述铬晶环的水平边框和竖直边框，以形成非检查区域；步骤（d）在所述光罩中设置第二非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列内部所述铬晶环的斜边边框，以形成非检查区域。所述方法能够保证获得最大的检测区域，以及最小的非检测区域，可以降低缺陷存在的风险，获得更加准确的检测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光罩的检测方法，包括：/n步骤(a)提供光罩，所述光罩中具有相互隔离的铬晶粒组成的铬晶粒阵列；/n步骤(b)在所述光罩中确定检查区域的范围，以将所述铬晶粒阵列中最外侧的水平边框和竖直边框设置在所述检查区域以外，设定为非检查区域；/n步骤(c)在所述光罩中设置第一非检查区域阵列，覆盖所述铬晶粒阵列内部所述铬晶粒的水平边框和竖直边框，以形成非检查区域；/n步骤(d)在所述光罩中设置第二非检查区域阵列，覆盖所述铬晶粒阵列内部所述铬晶粒的斜边边框，以形成非检查区域；/n步骤(e)，在所述光罩中设置第三非检查区域阵列，覆盖所述铬晶粒阵列最外侧的斜边边框，以形成非检查区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410093026.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于半导体光刻的多功能高产能吸盘
- 下一篇：投影装置和偏振光栅的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
