[发明专利]一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法有效
| 申请号： | 201410093312.1 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103904132B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋玉龙;彭雾;王琳琳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/08;H01L29/47 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 硅化钛 硅肖特基 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种调节硅化钛/硅肖特基接触势垒的方法，其特征在于具体步骤为：向硅化钛/硅肖特基整流二极管中的硅化钛薄膜中引入适量氧原子，实现接触势垒调节；所述引入氧原子的方法有两种，它们分别是：（1）在硅衬底上淀积金属钛膜后，通过离子注入或扩散方式将氧原子引入到金属钛膜中，再利用退火过程，使金属钛膜与衬底硅发生固相反应，在形成硅化钛/硅肖特基整流接触的同时，将氧原子掺入形成的硅化钛薄膜中；（2）在硅衬底上淀积金属钛膜后，先利用退火过程使金属钛与衬底硅发生固相反应，生成硅化钛/硅肖特基整流接触，再利用离子注入或扩散工艺将氧原子引入到硅化钛薄膜中,并进行适当的后退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410093312.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
- 下一篇：啤酒瓶自动卸箱装置
- 同类专利
- 专利分类
